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碳化硅功率器件产业浅析

2017年9月6日 19:00 ~ 2017年9月6日 21:00

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    活动介绍


    碳化硅(SiC)是继第一代半导体硅、锗和第二代半导体砷化镓之后的第三代半导体材料,主要有以下两种用途:作为衬底材料,应用于高亮度LED固体照明产业;作为功率器件,应用于中高、超高电压的电力电子行业和装备行业。

    SiC功率器件主要用于高端电源产品、电动汽车、太阳能逆变/储能、风力发电和柔性电站以及军品应用,以罗姆公司为代表的日本企业主要将SiC器件大规模的应用于民用领域,替代现有Si基产品;而美国企业则在军民用领域全面推进,而在军用领域发展的更好。

    随着6吋工艺线成为SiC器件加工的主流,市场规模将快速放大,SiC功率器件的价格将逐渐下调。中国是SiC功率器件的主要市场,占据全球市场一半左右,但是一直为欧美日企业垄断。正是由于SiC的重要作用,欧美日等发达国家或地区都把发展SiC半导体技术列入国家战略,我国也将SiC功率器件列为《电力电子行业“十三五”发展指导意见》和《中国制造2025》中的关键元件。我国在SiC功率器件的基础研究方面与国外差距不大,只是受制于原材料和工艺设备,而全球集成电路产业的国际化竞争,使我们在购买原材料和设备时有多方面的选择。在全球集成电路产业发展减速的时候,只有中国市场依旧表现出强劲的需求。另一方面,国内企业有政府层面的大力支持,在《中国制造2015 》的发展规划中明确提出了“推进碳化硅、氮化镓等下一代功率半导体器件的研发和产业化”。在《电力电子行业“十三五”发展指导意见》中提到“支持的重点包括以下方面:在芯片产业化方面,主要支持IGBT、MOSFET、FRD、功率集成电路(PIC)、IGCT等产品的芯片设计、制造、封测和模块组装……”到2015年底,南京、北京、厦门等地都已经形成了SiC功率器件的产业化集群。也有企业开发出了系列SBD产品。


    活动议程


    19:00-19:30   签到

    19:30-20:30   嘉宾演讲

                        1,“碳化硅功率器件产业现状”

                        2,“碳化硅功率器件未来发展”

                        3,“碳化硅主要应用产品”

    20:30-21:00   问答讨论


    演讲嘉宾


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    田力,1975年出生,陕西渭南人。现任陕西光电子集成电路先导技术研究院技术总监。曾任英飞凌科技西安有限公司高级工程师,骊山微电子技术研究所副部长兼副总师。


    主办单位


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