意见反馈
回到顶部
GaN、InP、GaAs等III-V族复合半导体在大功率RF元件领域技术趋势和可靠性挑战-Bill Roesch
2016年8月29日 13:30 ～ 2016年8月29日 17:00
收起
活动票种
付费活动，请选择票种
微信扫码看直播
活动内容收起
-流程安排-
13:30-14:30 嘉宾签到交流
14:30-15:30 Bill Roesch 讲座
15:30-16:00 嘉宾问答环节
-讲师介绍-
姓名：Bill Roesch
职位：高级Fellow
主题：III-V元件的技术趋势和可靠性挑战
背景：1）IEEE和可靠性社团成员；
2）具有31年历史的复合半导体可靠性工作室执行委员会成员；
3）IEDEC JC-14.7活跃成员；
4）专利：发现引起GaAs氢降解的实际失效机制。
发明：1）检测过孔的加热器设计
2）基底过孔的龟裂检测器
时间：2016年8月29日 13:30-16:00
地址：香港科技大学深圳产学研大楼 2楼 219教室
深圳市南山区高新技术产业园区粤兴一道9号
偷偷告诉你，Bill Roesch先生在美国的讲座入场券接近一万美金，听他们内部的员工透漏的。现在免费免费免费，重要的事情说三遍！！！而且有专业翻译现场为您服务，无障碍交流。
活动标签
最近参与
-
八万亿哥收藏
(8年前)
-
q7q71990报名
(8年前)
您还可能感兴趣
您有任何问题，在这里提问！
下载App观看回放
扫码小程序报名
活动主办方更多
华强聚丰电子发烧友网
电子发烧友（www.elecfans.com）成立于2006年，是专业的电子行业门户网站，提供最新电子行业动态和产品信息，分享电子工程师设计经验及技术应用，构建电子行业最专业的互动交流、学习探讨、经验分享平台。
联系主办方
联系电话：
